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    2019-03-08 16:56:46 Westpac Electronics

    具有高阈值电压和低导通电阻的SiC-MOSFET由晕圈结构实现

    图片关键词halo 構造により高しきい値電圧と低オン抵抗を実現した SiC-MOSFET.pdf

    为了降低功率半导体器件的功率损耗,富士电机开发了使用碳化硅(SiC)作为材料的沟槽栅极MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 为了进一步减小损耗,缩短MOSFET的沟道长度是有效的,但是必须抑制由于短沟道效应引起的阈值电压和击穿电压的降低。 对具有晕圈结构的垂直沟槽栅极MOSFET进行了仿真和原型设计,证明了抑制短沟道效应,并实现了在保持高阈值电压和击穿电压的同时降低导通电阻。


    0755-88267606 00852-2763 5991 021-5489 1460
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