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      用模拟器估算IGBT??榈姆⒌缢鸷?,温度和寿命シミュレータによる IGBT モシ?ュールの発生損失?温度?寿命の推定.pdf当富士电机的IGBT产品被集成到逆变器等电力电子系统中时,模拟半导体器件的发电损耗和结温的IGBT模拟器免费在网上发布。 这一次,我们发布了一个添加了新功能的版本。 除了遵循3级电路和许多广泛使用的PWM方法之外,我们还可以计算发生损耗的结温依赖性,并且可以实现更逼真的仿真。

      2019-03-08 Westpac Electronics

    • 具有高阈值电压和低导通电阻的SiC-MOSFET由晕圈结构实现

      具有高阈值电压和低导通电阻的SiC-MOSFET由晕圈结构实现halo 構造により高しきい値電圧と低オン抵抗を実現した SiC-MOSFET.pdf为了降低功率半导体器件的功率损耗,富士电机开发了使用碳化硅(SiC)作为材料的沟槽栅极MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 为了进一步减小损耗,缩短MOSFET的沟道长度是有效的,但是必须抑制由于短沟道效应引起的阈值电压和击穿电压的降低。 对

      2019-03-08 Westpac Electronics

    • ?山陽電気鉄道株式会社 5000系リニューアル車向け SiCハイブリッドモジュール搭載の鉄道車両用VVVFインバータ

      为了应对全球变暖等环境问题,提高了运输设备的节能性。 在铁路车辆中,正在减少诸如VVVF(可变电压可变频率)逆变器装置和用于驱动车辆的辅助电源装置的电力电子设备的损失。 在此背景下,富士电机开发出一种用于传统线路的VVVF逆变器,其设计紧凑,重量轻,具有低损耗设备。山陽電気鉄道株式会社 5000系リニューアル車向け SiCハイブリッドモジュール搭載の鉄道車両用VVVFインバータ山陽電気鉄道株式会社

      2019-03-08 Westpac Electronics

    • 富士电机功率半导体年度的技术成果与展望

      年度的技术成果与展望.pdf展望2017 年度的技术成果与展望半导体磁盘媒体电子元件电子元件127(29)富士电机技术期刊 2018 vol.C10 no.3半导体关于功率半导体,由于全球能源需求的扩大以及为了防止全球气候变暖,打造安全、安心的可持续发展社会,电力电子技术因其能够高效利用电能,为节能、创能做贡献,而受到人们越来越多的期待。近年来,不仅是产业设备和家电产品,在汽车、太阳能发电、风力发

      2019-03-03 Westpac Electronics

    • 登载了IGBT混合型SiC???2-Pack 1200V,1700V级的数据表

      从此处查看混合型SiC??榈氖荼砗偷刃У缏?。PIM(内置转换器、制动器)EconoPIM? 600sV、1200V级※点击产品图像即可查看等效电路图。PackageIc600V1200VIGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V seriesM71235A7MSR35VAB120-50 50A7MSR50VAB060-50 7MSR50VAB120-

      2019-02-24 Westpac Electronics

    • FUJI富士X系列IGBT技术资料更新

      更新内容如下:高电流输出特性(7MBR50XRKB(D)120-50).pdfX系列IGBT短路容量技术资料 .pdf浪涌电压特性(7MBR50XRKB(D)120-50).pdf更多信息及支持请联系香港威柏WESTPAC技术支持团队:Westpac威柏技术支持总监:王鹏 手机:15989854023 电话:027-8705 4728电子邮件:[email protected]

      2019-02-15 Westpac Electronics

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      基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究.pdf绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是双极型晶体管 (BJT) 和场效应晶体管 (MOSFET) 的复合器件,IGBT 将 BJT 的电导调制效应引入到 VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有 MOSFET 栅极输入阻抗高、开关速度快的特点 [1,2]. IGBT 以其

      2019-02-08 Westpac Electronics

    • 利用反激、SEPIC和?uk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨

      利用反激、SEPIC和?uk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨利用反激、SEPIC和?uk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨.pdf先进电机驱动应用采用基于三相绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)的逆变器,后者由通常在400 V dc到800 V dc范围内的直流母线电压供电。该高压轨可以从三相整流器电桥滤波器组合或功率因数经校正的升压整流器直接获得,从三相交流输入产生高压轨(参见图1)。

      2019-02-08 Westpac Electronics

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