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  • EV、HEV用IGBT???MBI800XV-075V-01

    EV、HEV用IGBT??椴捎弥苯铀渫⑷绕〗峁?、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT??椴分蟹直鹉谥糜?个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻。EV、HEV用IGBT???750V级※点击产品图像即可查看等效电路图。VCE(sat): at Tvj=25°C, ChipPackageDevice typeVCESVoltIC(Cont)Amps.IC(Pe

    EV、HEV用IGBT???/h1>

    采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT???br/>产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻。

    EV、HEV用IGBT???750V级

    ※点击产品图像即可查看等效电路图。

    VCE(sat): at Tvj=25°C, Chip

    PackageDevice typeVCES
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